特許
J-GLOBAL ID：201303043373966966

窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法

発明者：
古家 大士

古家 大士 について

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東 正信

東 正信 について

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只友 一行

只友 一行 について

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岡田 成仁

岡田 成仁 について

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山根 啓輔

山根 啓輔 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について

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国立大学法人山口大学

国立大学法人山口大学 について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-038503
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173641
出願日： 2012年02月24日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】貫通転位密度が低く高い結晶品質のGaN結晶のa面やm面を主面とする基板、或いは<11-22>面を主面とする基板など、無極性面や半極性面を主面としたGaN結晶層がサファイア下地基板上に積層されたGaN積層基板、並びにその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】側壁を有する複数本の溝部を形成したサファイア下地基板上に、該溝部の側壁より選択的に窒化ガリウム結晶を横方向成長させる窒化ガリウム結晶積層基板の製造方法であって、前記側壁の少なくとも一部がサファイア結晶のc面であって、該c面側壁を起点として、c軸方向の成長速度を、c軸に対して垂直な方向のうち基板表面に向かう方向の成長速度より早くして非対称横方向成長を行い、隣接する成長結晶を会合させてc軸に対して垂直な方向のうち基板表面に向かう方向への結晶転位の伝播を阻止する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
サファイア下地基板上に、該下地基板の主面に対して傾斜した側壁を有する複数本の溝部を形成し、該溝部の側壁より選択的に窒化ガリウム結晶を横方向成長(epitaxial lateral overgrowth)させる窒化ガリウム結晶積層基板の製造方法において、 前記側壁の少なくとも一部がサファイア結晶のc面であって、該c面側壁を起点として、c軸方向の成長速度を、c軸に対して垂直な方向のうち基板表面に向かう方向の成長速度より早くした窒化ガリウム結晶の非対称横方向成長(asymmetric epitaxial lateral overgrowth)を行い、隣接する成長結晶を会合させてc軸に対して垂直な方向のうち基板表面に向かう方向への結晶転位の伝播を阻止することを特徴とする前記窒化ガリウム結晶積層基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (41件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB04 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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