特許
J-GLOBAL ID：201103059965307409

III族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板

発明者：
齋藤 義樹

齋藤 義樹 について

, 
奥野 浩司

奥野 浩司 について

, 
牛田 泰久

牛田 泰久 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-194414
公開番号（公開出願番号）：特開2011-046544
出願日： 2009年08月25日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたm面GaN結晶を製造すること。【解決手段】a面サファイア基板10表面には、長手方向をm軸方向とする帯状の凹部11が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部11は、サファイア基板10の主面に平行な底面11aと、向かい合う2つの側面11bで構成されている。側面11bは平面状である。テラス10aの幅xは20μm以下、凹部11の底面11aの幅yは15μm以下、凹部11の深さzは50nm以上、サファイア基板10の主面に対して凹部11の側面11bのなす角度θは50〜90°、である。このサファイア基板10上に結晶成長させたm面GaNは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
a面を主面とするサファイア基板の表面に、長手方向がm軸方向に沿った帯状であり、サファイア基板の主面に平行な底面と、前記底面に角度を成した平面である2つの側面とを有した凹部を、一定の間隔で並んだストライプ状に複数形成し、前記凹部側面にバッファ層を形成し、前記凹部側面から前記バッファ層を介してIII 族窒化物半導体をc軸方向に成長させて、前記サファイア基板上にm面を主面とするIII 族窒化物半導体を形成するIII 族窒化物半導体の製造方法であって、 前記凹部底面の幅は、15μm以下、 前記凹部間に残った前記サファイア基板表面の幅は、20μm以下、 前記凹部の深さは、50nm以上、 前記凹部側面の前記サファイア基板主面に対する角度は、50〜90°、 となるように前記凹部を形成する、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (41件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA03 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM