特許
J-GLOBAL ID：201303044079448791
ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
志賀 正武
, 増井 裕士
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083247
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214576
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】フラックスを用いることなく常圧条件下において強固にろう付けされてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Al-Si共晶組織にMgを含むMg含有化合物52(MgOを除く)が分散した接合層50が形成されており、接合層50の厚さtが5μm以上80μm以下の範囲内とされている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、
前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Al-Si共晶組織にMgを含むMg含有化合物(MgOを除く)が分散した接合層が形成されており、
前記接合層の厚さが5μm以上80μm以下の範囲内とされていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 23/373
, H05K 7/20
H01L23/36 D
, H01L23/36 M
, H05K7/20 E
5E322AA01
, 5E322AB03
, 5E322FA01
, 5E322FA04
, 5F136BA30
, 5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136CB06
, 5F136DA27
, 5F136EA03
, 5F136EA14
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
, 5F136GA02
