特許
J-GLOBAL ID：201303044401870291

半導体発光素子

発明者：
古木 勝義

古木 勝義 について

, 
山崎 宏徳

山崎 宏徳 について

, 
西川 幸江

西川 幸江 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-024096
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162025
出願日： 2012年02月07日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第1電極と、絶縁層と、第1導電形層と、第2導電形層と、第2電極と、を有する。第1電極は、反射金属層と、反射金属層の上に設けられた透明導電膜と、を有する。絶縁層は、第1電極の上に設けられ開口部を有する。第1導電形層は、発光層と第1電極との間に設けられ、開口部に露出した透明導電膜と、絶縁層の表面と、に接する。第2導電形層は、発光層の側の第1の面と、第1の面の反対の側の第2の面とを有する。第2電極は、第2導電形層の第2の面に設けられる。第1導電形層と絶縁層との界面は、第1の凹凸を有する。第2導電形層の第2の面のうち第2電極が設けられない領域は、第2の凹凸を有する。また、透明導電膜と反射金属層との界面は、第3の凹凸を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層と、
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/42
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 222
Fターム (26件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA37 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CB15 ,  5F141FF01 ,  5F141FF11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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