特許
J-GLOBAL ID：200903035841929350
半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314056
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123573
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】発光層から放出された光の取り出し効率を向上させる半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供すること。【解決手段】半導体発光素子11は、発光層8を含み、発光層8から放出される光が取り出される第1の主面と、第1の主面の反対側に設けられた第2の主面とを有する半導体積層体6と、半導体積層体6の前記第1の主面の上に設けられた電極22と、導電性及び発光層8から放出される光に対する反射性を有し、半導体積層体6の第2の主面側に設けられた反射層25と、を備え、反射層25における半導体積層体6の第2の主面側の面で少なくとも電極22に対向する部分に凹凸が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含み、前記発光層から放出される光が取り出される第1の主面と、前記第1の主面の反対側に設けられた第2の主面と、を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体の前記第1の主面の上に設けられた電極と、
導電性及び前記発光層から放出される光に対する反射性を有し、前記半導体積層体の前記第2の主面側に設けられた反射層と、
を備え、
前記反射層における前記半導体積層体の前記第2の主面側の面で少なくとも前記電極に対向する部分に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB15
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
