特許
J-GLOBAL ID：201303046299131953
金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFET
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田澤 英昭
, 濱田 初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-144426
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243381
出願日： 2013年07月10日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFETを提供する。【解決手段】半導体基板上に直接設けられた複数の第一ゲルマニウムフィンであって、第一ゲルマニウムフィン124の上面と側壁上の第一ゲート誘電体132、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極134からなるn型フィンFET150と、半導体基板上に直接設けられた複数の第二ゲルマニウムフィンであって、第二ゲルマニウムフィン224は互いに物理的に分離し、かつ、互いに電気的に接続すること、第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体232、及び、第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極234からなるp型FinFET250とを備え、第一ゲート電極と第二ゲート電極は、4.25eVと4.4eV間の仕事関数を有する同一材料で形成される。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に直接設けられた複数の第一ゲルマニウムフィンであって、前記第一ゲルマニウムフィンは互いに物理的に分離し(separate)、かつ、互いに電気的に接続することを特徴とすること、前記第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、前記第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなるn型フィン電界効果トランジスタ(FinFET)と、
前記半導体基板上に直接設けられた複数の第二ゲルマニウムフィンであって、前記第二ゲルマニウムフィンは互いに物理的に分離し、かつ、互いに電気的に接続することを特徴とすること、前記第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体、及び、前記第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極からなるp型FinFETであって、前記第一ゲート電極と前記第二ゲート電極は、4.25eVと4.4eV間の仕事関数(work function)を有する同一材料で形成され、かつ、前記第一ゲルマニウムフィンと前記第二ゲルマニウムフィンのゲルマニウム原子百分率は、50パーセントより大きいことを特徴とすることと、
前記半導体基板上に直接設けられた複数のダミーフィンからなるダミーフィン構造と、
を備えた集積回路構造。
IPC (4件)：
H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 21/336
, H01L 29/78
H01L27/08 321C
, H01L29/78 301X
5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB14
, 5F048BC15
, 5F048BC18
, 5F048BD00
, 5F048BD01
, 5F048BD06
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048DA23
, 5F140AA01
, 5F140AB03
, 5F140AC28
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA16
, 5F140BB03
, 5F140BB05
, 5F140BB15
, 5F140BD04
, 5F140BD11
, 5F140BD13
, 5F140BF01
, 5F140BF03
, 5F140BF05
, 5F140BF10
, 5F140BH07
, 5F140BH27
, 5F140BH49
, 5F140BJ08
, 5F140BK18
, 5F140BK30
, 5F140CB04
