半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023050
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224268
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】トランジスタのゲート絶縁膜としてHf02などの非Si金属系酸化膜を使用すると界面に欠陥準位が発生し、トランジスタ特性に悪影響を及ぼす。【解決手段】電極材料としてゲート絶縁膜として使用した金属系酸化物の金属(Hf02であればHf)を使用する。界面の構造がなだらかに変化することにより、ダングリングボンド等の界面欠陥準位が低減され、トランジスタ特性を向上させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

金属の酸化膜と、その金属の膜を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/316 Y , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C , H01L 29/62 G

Fターム (103件)：

4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH16 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD16 , 5F140BD20 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF27 , 5F140BF60 , 5F140BG02 , 5F140BG04 , 5F140BG12 , 5F140BG26 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BG46 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146330 出願人：大見忠弘
CMOSデバイス二重金属ゲート構造作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-381281 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090166 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る