特許
J-GLOBAL ID：201303048283671772
光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
青木 篤
, 伊坪 公一
, 樋口 外治
, 小林 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081976
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211482
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：
【課題】同一の基板上に並べて配置された複数の活性領域を有し、各活性領域の温度が不均一になることを防止する光半導体素子を提供する。【解決手段】光半導体素子10は、半導体の基板11と、同一の方向に向かって光を放射するように基板11上に並べて配置された複数の活性領域A1〜A13を有するアレイRであって、複数の活性領域A1〜A13が、光を放射する方向と交差する方向において、アレイRの端ではアレイRの中央よりも密に配置されるアレイRと、複数の活性領域A1〜A13に電流を注入する電極16,17と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体の基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記基板上に並べて配置された複数の活性領域を有するアレイであって、前記複数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極と、
を備える光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F173AA04
, 5F173AA48
, 5F173AD02
, 5F173AD04
, 5F173AH07
, 5F173AP05
, 5F173AR71
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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