特許
J-GLOBAL ID：201303049333995449
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-011144
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149911
出願日： 2012年01月23日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】半導体装置において、半導体素子と基体との接合強度のさらに向上させる。【解決手段】基板510と、前記基板の表面に配置された第1の銀層530とを含む基体における前記第1の銀層と、第2の銀層140を表面に有する半導体素子100の前記第2の銀層とが接合された半導体装置の製造方法であって、前記基板の表面に配置された凹凸のある銀層の表面に平坦な面を有する型を配置して前記平坦な面が接触するようにし、前記型に圧力を加えて前記凹凸のある銀層の表面を平坦にして、中心線平均粗さ(Ra)が、0.01μm〜0.7μmである前記第1の銀層を得る工程と、前記第1の銀層と前記第2の銀層が接触するように配置された前記半導体素子と前記基体とに、150°C〜400°Cの温度を加え、前記第1の銀層と、前記第2の銀層とを接合させる工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の表面に配置された第1の銀層とを含む基体における前記第1の銀層と、第2の銀層を表面に有する半導体素子の前記第2の銀層とが接合された半導体装置の製造方法であって、
前記基板の表面に配置された凹凸のある銀層の表面に、平坦な面を有する型を配置して前記平坦な面が接触するようにし、前記型に圧力を加えて前記凹凸のある銀層の表面を平坦にして、中心線平均粗さ(Ra)が、0.01μm〜0.7μmである前記第1の銀層を得るか、および/または、
凹凸のある銀層を表面に有する半導体素子の前記凹凸のある銀層の表面に、平坦な面を有する型を配置して前記平坦な面が接触するようにし、前記型に圧力を加えて前記凹凸のある銀層の表面を平坦にして、中心線平均粗さ(Ra)が、0.01μm〜0.7μmである前記第2の銀層を得る工程と、
前記第1の銀層と前記第2の銀層が接触するように配置された前記半導体素子と前記基体とに、150°C〜400°Cの温度を加え、前記第1の銀層と、前記第2の銀層とを接合させる工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F041AA43
, 5F041DA19
, 5F041DA34
, 5F041DA39
