レーザ転写装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大森純一 , 折居章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-152155
公開番号（公開出願番号）：特開2013-020768
出願日： 2011年07月08日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】高精細の発光層パターンを、高い生産性をもって製造することができるレーザ転写装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザ転写装置110は、真空雰囲気を維持可能な真空室31と、ステージ32と、移載機構113と、レーザ光学系33とを具備する。ステージ32は、真空室31内に設置され、真空室31内に搬入された基板2を支持する。移載機構113は、ステージ32に支持された基板2上に、有機発光材料を支持する熱転写体50Rを配置するように構成される。レーザ光学系33は、ステージ32に対向して配置され、熱転写体50Rにレーザを照射することで、有機発光材料を基板2上に転写する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

真空雰囲気を維持可能な真空室と、前記真空室内に設置され前記真空室内に搬入された基板を支持するステージと、前記ステージに支持された前記基板上に、有機発光材料を支持する熱転写体を配置するように構成された移載機構と、前記ステージに対向して設置され、前記熱転写体にレーザを照射することで前記有機発光材料を前記基板上に転写するレーザ光学系とを具備するレーザ転写装置。

IPC (2件)：

H05B 33/10 , H01L 51/50

FI (2件)：

H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (8件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC35 , 3K107CC45 , 3K107GG09 , 3K107GG14 , 3K107GG28 , 3K107GG31

引用特許：

審査官引用 (8件)

有機EL素子の製造方法及び有機EL層の転写装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-297697 出願人：シャープ株式会社
転写基板、転写装置および転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-242615 出願人：ソニー株式会社
成膜用基板および発光装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-329386 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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