半導体用途のための溶射コーティング

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-519814
公開番号（公開出願番号）：特表2013-531135
出願日： 2011年07月14日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

本発明は、金属又は非金属基板上の溶射コーティングに関する。該溶射コーティングは、後記セラミックコーティングの厚さにわたる機能的に傾斜した空隙率を有するセラミックコーティングを備える。該セラミックコーティングは、内層及び外層を含む。該内層は、該内層と該金属又は非金属基板との界面又はその付近に、高温における該セラミックコーティングと該金属又は非金属基板との間の熱膨張不整合下で歪むことができる柔軟性セラミックコーティングを提供するのに十分な空隙率を有する。該外層は、該内層の表面から該セラミックコーティングの表面まで延在する、前記セラミックコーティングに耐腐食性及び/又は耐プラズマ浸食性を提供するのに十分な低下する空隙率を有する。本発明はまた、該溶射コーティングを施すことにより金属及び非金属基板を保護する方法に関する。該コーティングは、例えば、半導体製造機器の保護において、例えば集積回路、発光ダイオード、ディスプレイ、及び光電池、内部チャンバ部品、並びに静電チャック製造に有用である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属又は非金属基板上の溶射コーティングであって、前記溶射コーティングは、後記セラミックコーティングの厚さにわたる機能的に傾斜した空隙率を有するセラミックコーティングを備え、前記厚さは、該金属又は非金属基板の表面に隣接した点から出発する経路に沿って延在し、該セラミックコーティングの表面上の点に至り、前記セラミックコーティングは、内層及び外層を備え、前記内層は、前記内層と前記金属又は非金属基板との界面又はその付近に、高温における前記セラミックコーティングと前記金属又は非金属基板との間の熱膨張不整合下で歪むことができる柔軟性セラミックコーティングを提供するのに十分な空隙率を有し、前記外層は、該内層の表面から該セラミックコーティングの表面まで低下する、前記セラミックコーティングに耐腐食性及び/又は耐プラズマ浸食性を提供するのに十分な空隙率を有する、上記溶射コーティング。

IPC (4件)：

C23C 4/12 , C23C 4/10 , C23C 4/02 , H01L 21/306

FI (4件)：

C23C4/12 , C23C4/10 , C23C4/02 , H01L21/302 101G

Fターム (18件)：

4K031AA01 , 4K031AB03 , 4K031AB09 , 4K031BA08 , 4K031CB42 , 4K031CB43 , 4K031DA01 , 4K031DA03 , 4K031DA04 , 4K031DA06 , 4K031EA01 , 4K031EA10 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004BB29 , 5F004BB30

引用特許：

審査官引用 (7件)

セラミックス被覆部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-222036 出願人：株式会社東芝
特開昭60-002659
半導体加工装置用セラミック被覆部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-076196 出願人：東京エレクトロン株式会社, トーカロ株式会社

全件表示

前のページに戻る