特許
J-GLOBAL ID：201303050878181820

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

発明者：
北川 英二

北川 英二 について

, 
才田 大輔

才田 大輔 について

, 
下村 尚治

下村 尚治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (19件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-063478
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197344
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】磁気メモリの動作不良を抑制する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、磁化の向きが可変な第1の磁性膜10と、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、磁化の向きが不変な第2の磁性膜11と、第1及び第2の磁性膜11,12間の非磁性膜12と、第1の磁性膜10における非磁性膜12側と反対側に設けられ、膜面に対して平行方向の磁化を有し、第1の磁性膜10に面内磁場を印加する第3の磁性膜を含む磁場印加層12と、第1の磁性膜と磁場印加層12との間に設けられる中間層15と、を含む。読み出し電流が磁場印加層12に供給された場合の第3の磁性膜の磁化の大きさは、書き込み電流が磁場印加層12に供給された場合の第3の磁性膜の磁化の大きさより大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜面に対して垂直方向の磁化を有し、磁化の向きが可変な第1の磁性膜と、 膜面に対して垂直方向の磁化を有し、磁化の向きが不変な第2の磁性膜と、 第1及び第2の磁性膜間の第1の非磁性膜と、 前記第1の磁性膜における前記第1の非磁性膜側とは反対側に設けられ、膜面に対して平行方向の磁化を有し、前記第1の磁性膜の膜面に対して平行方向の磁場を前記第1の磁性膜に印加する第3の磁性膜を含む磁場印加層と、 前記第1の磁性膜と前記磁場印加層との間に設けられる中間層と、 を具備し、 前記第1及び第2の磁性膜間を流れる読み出し電流が前記磁場印加層内に供給された場合における前記第3の磁性膜の磁化の大きさは、前記第1及び第2の磁性膜間を流れる書き込み電流が前記磁場印加層内に供給された場合における前記第3の磁性膜の磁化の大きさより大きい、 ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112
Fターム (32件)：
4M119AA03 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE40 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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