特許
J-GLOBAL ID：201303050930501382

半導体基板の製造方法および半導体基板

発明者：
秦 雅彦

秦 雅彦 について

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市川 磨

市川 磨 について

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卜部 友二

卜部 友二 について

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宮田 典幸

宮田 典幸 について

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前田 辰郎

前田 辰郎 について

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安田 哲二

安田 哲二 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (2件)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-130726
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004545
出願日： 2011年06月10日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】高性能なIII-V族MISFETの実現を可能にする、より効果的なIII-V族化合物半導体表面のパッシベーション技術を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長により化合物半導体層をベース基板上に形成するステップと、前記化合物半導体層の表面をセレン化合物を含む洗浄液で洗浄するステップと、前記化合物半導体層の上に絶縁層を形成するステップと、を有する半導体基板の製造方法を提供する。前記セレン化合物として、セレン酸化物が挙げられる。前記セレン酸化物として、H2SeO3が挙げられる。前記洗浄液が、水、アンモニアおよびエタノールからなる群から選択された1以上の物質をさらに含んでもよい。前記化合物半導体層の表面がInxGa1-xAs(0≦x≦1)からなる場合、前記絶縁層がAl2O3からなるものであることが好ましく、Al2O3は、ALD法により形成されることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長により化合物半導体層をベース基板上に形成するステップと、 前記化合物半導体層の表面をセレン化合物を含む洗浄液で洗浄するステップと、 前記化合物半導体層の上に絶縁層を形成するステップと、を有する 半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U
Fターム (66件)：
5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB16 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BF10 ,  5F140BG30 ,  5F140BH22 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CE02 ,  5F152LL05 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN08 ,  5F152NN15 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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