半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-074528
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260325
出願日： 2009年03月25日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】半導体-絶縁体界面の界面準位が低減した半導体基板とその製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板が提供される。当該第1の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたX線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

砒素を含む3-5族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/318

FI (7件)：

H01L21/316 Z , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L21/28 A , H01L21/28 301B , H01L27/04 C , H01L21/318 Z

Fターム (59件)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB19 , 4M104BB24 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BB01 , 5F058BB02 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BE01 , 5F058BE10 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ08

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-236424
特開平4-091435
薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257675 出願人：松村英樹, 日本電気株式会社, アネルバ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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