特許

J-GLOBAL ID：201303051871547051

太陽電池

発明者： 月形 信太郎 ,  渡部 武紀 ,  大塚 寛之
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-020634
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161847
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】パッシベーション効果が高く、電極焼成時にファイアスルー性が向上するので、コンタクト抵抗を低減させることができるパッシベーション膜を提供する。【解決手段】半導体シリコン基板1のp型拡散層2上に形成された高密度シリコン酸化膜4及び高密度シリコン酸化膜4上に形成され、該高密度シリコン酸化膜4よりも密度の低い低密度シリコン酸化膜5の積層膜であるシリコン酸化膜6と、シリコン酸化膜6上に形成されたシリコン窒化膜7と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体シリコン基板上に形成され、厚み方向で密度の異なるシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜とを有することを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (5件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CA15 ,  5F151CB12 ,  5F151HA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-252470   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-160431   出願人：京セラ株式会社
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-503046   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング