特許

J-GLOBAL ID：200903049152630705

太陽電池素子

発明者： 大和田 寛人 ,  府川 祐子
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160431
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339301
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】半導体基板の受光面側に反射防止膜を有し、この反射防止膜上にファイヤースルー法によって表面電極を形成した太陽電池素子において、十分なオーミック接触を得るとともに、表面電極と半導体基板間の密着強度を確保し、電極自体の強度も確保した太陽電池素子を提供する。【解決手段】半導体基板1の一主面側に反射防止膜5を有して構成される太陽電池素子であって、半導体基板1及び反射防止膜5の間に、中間酸化物層3と、該中間酸化物層3の主成分と反射防止膜5の主成分とを含有してなる密度遷移領域4とを、半導体基板1から順次有するように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面側に反射防止膜を有して構成される太陽電池素子であって、 前記半導体基板及び前記反射防止膜の間に、中間酸化物層と、該中間酸化物層の主成分と前記反射防止膜の主成分とを含有してなる密度遷移領域とを、前記半導体基板から順次有することを特徴とする太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (7件)：

5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 反射防止膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078626   出願人：三菱電機株式会社
• 特公平5-72114号公報
  
• 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142406   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-49676号公報
  
• 太陽電池素子の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130758   出願人：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297831   出願人：京セラ株式会社
• 太陽電池素子の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130758   出願人：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社