ダイヤモンド様炭素薄膜の形成方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266723
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073813
特許番号：特許第4706010号
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ポリマーをターゲットとして使用するパルスレーザーデポジション法によって基板上にダイヤモンド様炭素薄膜を形成する方法において、分子内にベンゼン環を有する線状構造ポリマーをターゲットとして使用し、これにパルス幅が50ns以下の紫外光パルスレーザーを照射することを特徴とするダイヤモンド様炭素皮膜の形成方法。

IPC (2件)：