特許
J-GLOBAL ID：201303052523660894

半導体装置の検査装置及び検査方法

発明者：
水野 裕久

水野 裕久 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-246249
公開番号（公開出願番号）：特開2013-104667
出願日： 2011年11月10日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。【解決手段】検査装置1は、半導体チップ2を載置する観察ステージ16を、半導体チップ2の基板材料と同じSiで製造し、半導体チップ2の裏面側に撮像素子35を配置した。半導体チップ2で発生した微弱な光は、半導体チップ2、観察ステージ16を透過して撮像素子35に入射する。観察ステージ16は、Siから製造されているので、ヒータ25によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ16の上方には、プローブカード19及びLSIテスタ20が配置されており、半導体チップ2の回路のテストが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体回路が形成された半導体装置を下方から支持し、前記基板と同じ材料を用いた観察ステージと、 前記観察ステージの下方に配置され、前記半導体装置で発生した光を撮像する撮像装置と、 前記観察ステージに取り付けられ、前記半導体装置を加熱する加熱装置と、 を含むことを特徴とする半導体装置の検査装置。
IPC (4件)：
G01R 31/302 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/956 ,  G01N 21/66
FI (4件)：
G01R31/28 L ,  H01L21/66 B ,  G01N21/956 A ,  G01N21/66
Fターム (35件)：
2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043DA06 ,  2G043DA08 ,  2G043EA06 ,  2G043FA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB07 ,  2G043GB16 ,  2G043HA01 ,  2G043KA01 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G051AA51 ,  2G051BA06 ,  2G051BA10 ,  2G051CA04 ,  2G051CB02 ,  2G051CC09 ,  2G051DA05 ,  2G132AE22 ,  2G132AF14 ,  2G132AF20 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA17 ,  4M106CA19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH38 ,  4M106DH44 ,  4M106DJ01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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