半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-236149
公開番号（公開出願番号）：特開2011-109084
出願日： 2010年10月21日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】オフ電流が小さい薄膜トランジスタによって問題なく動作することが可能な記憶素子を含む記憶装置を提供することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられた記憶素子を、マトリクス状に配置した記憶装置を提供する。酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。また、消費電力を低くすることもできる。このような記憶装置は、例えば酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ソース領域、チャネル形成領域およびドレイン領域が設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を覆って設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳して設けられた第1の導電層と、前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層のソース領域およびドレイン領域に接続された第2の導電層と、を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられている記憶素子を含み、前記記憶素子がマトリクス状に配置され、前記酸化物半導体層におけるキャリア濃度は5×1014cm-3以下であり、前記薄膜トランジスタのオフ電流値は、1×10-13A以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 29/786 , H01L 27/11

FI (8件)：

H01L27/10 671Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618G , H01L29/78 613B , H01L27/10 671C , H01L27/10 381 , H01L27/10 681F , H01L27/10 681G

Fターム (107件)：

5B035AA05 , 5B035BA03 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA13 , 5B035CA23 , 5F083AD02 , 5F083BS10 , 5F083BS22 , 5F083BS30 , 5F083BS32 , 5F083BS37 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083PR05 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083ZA11 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタ及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-015692 出願人：キヤノン株式会社
アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-221552 出願人：キヤノン株式会社
トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

全件表示

前のページに戻る