特許
J-GLOBAL ID：201303053707905578
マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-100873
公開番号（公開出願番号）：特開2013-006265
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【解決手段】(i)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する工程を含むマイクロ構造体の製造方法において、(A)一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂を含むと共に、架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、犠牲膜として塗布する工程、(B)基板を加熱する工程、(C)パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、(D)犠牲膜パターンを形成する工程、(E)上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程を含む。【効果】高精度な欠陥損失のない平面形状及び85°以上90°未満側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(i)基板上に成膜された犠牲膜を加工して犠牲膜パターンを形成する段階、
(ii)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成する段階、
(iii)上記無機材料膜の一部にエッチング用の開口部を設け、該開口部を通じてエッチングにより犠牲膜パターンを除去し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階
を含むマイクロ構造体の製造方法において、
上記(i)段階である犠牲膜パターンを形成する段階は、
(A)
(A-1)一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂(i)、又は該一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂とフェノール性水酸基がエステル化されていないクレゾールノボラック樹脂との混合物(ii)、
(A-2)(A-1)のノボラック樹脂(i)又はノボラック樹脂混合物(ii)と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物、
(A-3)フェノール性水酸基がエステル化されていないクレゾールノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物
のいずれかを含むと共に、酸触媒によりクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成しうる架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、2〜20μmの膜厚を持つ犠牲膜として塗布する工程、
(B)光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を塗布した基板を加熱する工程、
(C)該光パターン形成性犠牲膜に第1の高エネルギー線を用いて、パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、
(D)アルカリ性現像液による現像でポジ型の犠牲膜パターンを形成する工程、
(E)得られた該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線として、254nmの波長を含む紫外線の照射を行う操作を含み、上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程
を含むことを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。
IPC (5件)：
B81C 1/00
, C08G 8/12
, G03F 7/022
, G03F 7/023
, G03F 7/004
B81C1/00
, C08G8/12
, G03F7/022
, G03F7/023 511
, G03F7/004 501
, G03F7/023 501
2H125AE03P
, 2H125AF03P
, 2H125AF08P
, 2H125AF17P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF55P
, 2H125AN57P
, 2H125BA32P
, 2H125CA12
, 2H125CB06
, 2H125CC03
, 2H125CC21
, 2H125CD08P
, 2H125CD22P
, 2H125CD23P
, 2H125CD35
, 2H125CD38
, 3C081AA17
, 3C081CA03
, 3C081DA45
, 4J033CA01
, 4J033CA02
, 4J033CA12
, 4J033HA02
, 4J033HA05
, 4J033HA12
, 4J033HB10
