特許
J-GLOBAL ID：201303054560956771

半導体装置、およびその作製方法

発明者：
大野 普司

大野 普司 について

, 
渡邊 裕一

渡邊 裕一 について

, 
楠本 直人

楠本 直人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-038115
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211543
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：
【課題】電気特性の優れたトランジスタおよびその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁表面上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域を有する酸化物半導体層、該酸化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成され、チャネル形成領域と重畳するゲート電極、ソース領域と接するソース電極、ドレイン領域と接するドレイン電極、を有し、ソース領域およびドレイン領域は、チャネル形成領域よりも酸素濃度が高い部位を有する構成のトランジスタとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、 前記ソース領域と接するソース電極と、 前記ドレイン領域と接するドレイン電極と、 を有し、 前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域よりも酸素濃度が高い部位を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (9件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616L ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371
Fターム (79件)：
5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083JA60 ,  5F101BA01 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD23 ,  5F110AA14 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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