半導体光検出素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006062
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065909
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。【解決手段】半導体光検出素子SP1は、第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1及び第2主面21a,21bを有すると共に第1主面21a側に第2導電型の半導体層23が形成されたシリコン基板21と、第1主面21a上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極25と、を備え、表面入射型である。シリコン基板21には、第2主面21b側にシリコン基板21よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層31が形成され、第2主面21bにおける少なくとも半導体領域23に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。シリコン基板21の第2主面21bにおける不規則な凹凸10が形成された領域は、光学的に露出している。【選択図】図26

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に前記第1主面側に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の前記第1主面上に設けられ、発生した電荷を転送する転送電極部と、を備え、前記シリコン基板には、前記第2主面側に前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層が形成されていると共に、前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域に不規則な凹凸が形成されており、前記シリコン基板の前記第2主面における不規則な前記凹凸が形成された領域は、光学的に露出し、少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する前記領域に不規則な前記凹凸が形成された前記第2主面に対向する前記第1主面が光入射面とされて、前記第1主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、表面入射型であることを特徴とする半導体光検出素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (13件)：

5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA01 , 5F049PA05 , 5F049PA09 , 5F049PA11 , 5F049PA14 , 5F049QA03 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049SZ12 , 5F049SZ16 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

ホトダイオードアレイおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-155762 出願人：浜松ホトニクス株式会社
X線撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-010977 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光閉込め構造及びそれを用いた受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-029092 出願人：株式会社日立製作所

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