特許
J-GLOBAL ID：201303054617373034
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186163
公開番号（公開出願番号）：特開2013-123034
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】低コンタクト抵抗で高反射率の電極を有する半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法が提供される。前記製造方法は、発光層を含み窒化物半導体を含む半導体積層部の上に、Ag膜を形成する工程を含む。前記製造方法は、前記Ag膜を窒素含む雰囲気中で熱処理を施す第1熱処理工程をさらに含む。前記製造方法は、前記第1熱処理工程の後に前記Ag膜を酸素を含む雰囲気中で熱処理を施す第2熱処理工程をさらに含む。前記第1熱処理工程における前記熱処理の温度は、前記第2熱処理工程における前記熱処理の温度よりも高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含み窒化物半導体を含む半導体積層部の上に、Ag膜を形成する工程と、
前記Ag膜を窒素を含む雰囲気中で熱処理を施す第1熱処理工程と、
前記第1熱処理工程の後に前記Ag膜を酸素を含む雰囲気中で熱処理を施す第2熱処理工程と、
を備え、
前記第1熱処理工程における前記熱処理の温度は、前記第2熱処理工程における前記熱処理の温度よりも高い半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/40
, H01L 33/32
, H01L 21/28
H01L33/00 220
, H01L33/00 186
, H01L21/28 B
, H01L21/28 301R
, H01L21/28 301B
4M104AA04
, 4M104BB08
, 4M104BB15
, 4M104CC01
, 4M104DD79
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F141AA03
, 5F141AA33
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA13
, 5F141CA23
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA73
, 5F141CA74
, 5F141CA77
, 5F141CA83
, 5F141CA86
, 5F141CA92
, 5F141CA93
, 5F141CA98
, 5F141CB15
, 5F141CB36
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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