特許
J-GLOBAL ID：200903004282510562
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-291927
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103690
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】高い反射率を有する金属からなる反射電極をその反射率を低下させることなく形成できるようにする。【解決手段】半導体発光装置は、n型半導体層11とp型半導体層13とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層12とを有している。p型半導体層11の上には、活性層12からの発光光に対して高い反射率を持つ金属からなる反射電極14と、該反射電極14の上に形成された非金属からなる保護層15と、該保護層15の上に形成され、反射電極14と開口溝15aを介して電気的に接続された第1のカバー電極16とが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1伝導型の第1の半導体層と、
第2伝導型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体との間に形成された活性層と、
前記第1の半導体層における前記活性層の反対側の面上に形成され、前記活性層からの発光光を反射する第1の金属からなる反射電極と、
前記反射電極における前記第1の半導体層の反対側の面上に形成された非金属からなる保護層と、
前記保護層における前記反射電極の反対側の面上に形成され且つ前記反射電極と電気的に接続された第2の金属からなるカバー電極とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA81
, 5F041CA85
, 5F041CA91
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041DA09
, 5F041FF11
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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