特許
J-GLOBAL ID：200903071561016704

SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子

発明者：
土田 秀一

土田 秀一 について

, 
リュタウラス ストラスタ

リュタウラス ストラスタ について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237996
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053667
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するSiC層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたSiC半導体素子を提供する。【解決手段】(a)最初のSiC結晶層(E)における浅い表面層(A)に炭素原子(C)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、(b)当該層を加熱することにより、注入表面層(A)からバルク層(E)へ格子間炭素原子(C)を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりSiC層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層(A)を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶成長終了状態(アズグロウン)のSiC結晶層におけるキャリア捕獲中心を除去または減少することによりSiC結晶の質を向上させる方法であって、 (a)SiC結晶層における浅い表面層にイオン注入を行い、表面層に格子間炭素原子を導入する工程と、 (b)SiC結晶を加熱することにより、表面層に導入された格子間炭素原子を該表面層からバルク層へ拡散させるとともに格子間炭素原子と点欠陥とを結合させることで、バルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、 を含む、SiC結晶の質を向上させる方法。
IPC (13件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/263 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/316 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/04
FI (12件)：
H01L21/265 Z ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/263 E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/72 ,  H01L29/74 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655Z ,  H01L21/316 S ,  C30B29/36 A ,  C30B33/04
Fターム (47件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FD02 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077FG02 ,  4G077FH07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK11 ,  5F003BA08 ,  5F003BA92 ,  5F003BB90 ,  5F003BC90 ,  5F003BE90 ,  5F003BM01 ,  5F003BP08 ,  5F003BP12 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ04 ,  5F005AF02 ,  5F005AH01 ,  5F005AH02 ,  5F005AH03 ,  5F005AH04 ,  5F005BA01 ,  5F005BB01 ,  5F045AB06 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045HA12 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,703,294号明細書
審査官引用 (5件)
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