半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-096136
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251536
出願日： 2013年05月01日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置であって、良好な電気的特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層、酸化物半導体層と接するゲート絶縁層、及びゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重畳するゲート電極層を含むトランジスタにおいて、ゲート絶縁層の上面及びゲート電極層の側面に接して、ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性の低い(酸素に対するバリア性を有する)第1の絶縁層と、第1の絶縁層を介してゲート電極層の側面に第2の絶縁層と、を設けた構成とする。また、第2の絶縁層の側面は、第1の絶縁層とは異なる絶縁物と接する構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極層と、前記ゲート絶縁層の上面及び前記ゲート電極層の側面に接する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層を介して前記ゲート電極層の側面に設けられた第2の絶縁層と、前記酸化物半導体層の上面、前記ゲート絶縁層の側面及び前記第1の絶縁層の側面と接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、前記第1の絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低く、前記第2の絶縁層の側端部は、前記第1の絶縁層の上面に接し、前記第2の絶縁層の側面は、前記第1の絶縁層とは異なる絶縁物と接する半導体装置。

IPC (14件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/105 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , G02F 1/136

FI (14件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L27/10 321 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 441 , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , G02F1/1368

Fターム (191件)：

2H192AA24 , 2H192CB02 , 2H192CB37 , 2H192CB83 , 2H192EA74 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104DD81 , 4M104EE09 , 4M104FF01 , 4M104FF09 , 4M104FF26 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH05 , 4M104HH10 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB03 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048BG11 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048DA23 , 5F083AD02 , 5F083AD10 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA03 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA53 , 5F083JA58 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF08 , 5F101BF09 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F110AA02 , 5F110AA08 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-352719 出願人：シャープ株式会社
半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-230168 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-239783 出願人：ソニー株式会社

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