特許
J-GLOBAL ID：201303058569629078

半導体記憶装置

発明者：
鹿倉 文子

鹿倉 文子 について


出願人/特許権者：
オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド

オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206327
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022679
特許番号：特許第4854140号
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ビット線に各ドレイン電極がそれぞれスイッチを介して接続可能に構成された複数のメモリセルからなる複数のメモリセル群と、 前記複数のメモリセル群毎に設けられ、前記複数のメモリセルの中で、いずれかのメモリセルがワード選択されると、対応するメモリセル群における複数のメモリセルの各ソース電極に電源電圧を印加する電源電圧印加回路と、 前記ビット線を選択するための選択トランジスタと、 前記選択トランジスタを介して前記ビット線に接続されたデータ読み出し線と、 前記データ読み出し線を介して、前記メモリセルから供給される電流を検知することで、ワード選択された前記メモリセルに書き込まれたデータを読み出す読み出し回路と、を具備し、前記各メモリセル群における複数のメモリセルの個数は、前記複数のメモリセルの中、ワード選択されていないメモリセルのオフリーク電流の総和により前記読み出し回路の誤動作が起きないように設定されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G11C 17/00 601 Q ,  G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 635
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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