窒化物半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012762
公開番号（公開出願番号）：特開2013-151388
出願日： 2012年01月25日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】結晶欠陥を低減させることができるとともに、窒化物半導体層を異種基板から自然剥離させることができる、高品質の窒化物半導体基板を安価に、かつ低コストで製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体と異なる材料からなる異種基板表面に複数の凹部を形成する第1工程、隣接する前記凹部間の上に、ラテラル成長により窒化物半導体層を成長させ、前記凹部の底面と前記窒化物半導体層との間に空隙を形成する第2工程及び、前記窒化物半導体層から、前記異種基板を除去する第3工程を有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法であって、前記複数の各凹部A、B、Cが、平面形状が略正三角形の複数の枠体11によって包囲して形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料からなる異種基板表面に複数の凹部を形成する第1工程、隣接する前記凹部間の上に、ラテラル成長により窒化物半導体層を成長させ、前記凹部の底面と前記窒化物半導体層との間に空隙を形成する第2工程及び前記窒化物半導体層から、前記異種基板を除去する第3工程を有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 33/32 , H01L 21/205 , C30B 25/04

FI (4件)：

C30B29/38 D , H01L33/00 186 , H01L21/205 , C30B25/04

Fターム (39件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045GH08 , 5F141AA40 , 5F141CA23 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA67 , 5F141CA77

引用特許：

審査官引用 (3件)

窒化物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-294303 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-210805 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社

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