特許
J-GLOBAL ID：200903000764398411
半導体結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210805
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163370
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 下地基板から独立した良質の半導体結晶を得ること。【解決手段】 GaN層103(シード層第2層)とAlNバッファ層102(シード層第1層)とから成るシード層をサファイア基板101上に成膜し、その表面をストライプ幅(シード幅S)≒5μm、ウイング幅W≒15μm、深さ約0.5μmのストライプ状にエッチングした。これより、断面形状が略矩形のメサが形成され、上記の複層のシード層を平頂部に有する侵食残骸部が配置周期L≒20μmで配置され、ウイングの谷部にサファイア基板101の一部が露出した。ウイングに対するシード幅の比S/Wは1/3〜1/5程度が望ましい。次に、50μm以上に半導体結晶Aを成長させ、下地基板と分離することにより、下地基板から独立した高品質の単結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
下地基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体結晶を成長させ、前記下地基板から独立した良質の半導体結晶Aを得る方法であって、前記下地基板上に単層又は複層のシード層を積層するシード積層工程と、前記下地基板の前記シード層が成膜されている側の面の一部を化学的若しくは物理的に侵食処理して、前記シード層を前記下地基板上に部分的或いは分散的に残留させる侵食残骸部形成工程と、前記シード層の侵食残骸部の露出面を前記半導体結晶Aが結晶成長し始める最初の結晶成長面とし、この結晶成長面が結晶成長により各々互いに連結されて少なくとも一連の略平面に成長するまで、前記半導体結晶Aを結晶成長させる結晶成長工程と、前記侵食残骸部を破断することにより、前記半導体結晶Aと前記下地基板とを分離する分離工程とを有することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
Fターム (5件)：
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA77
