磁気ランダム・アクセス・メモリの製作方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：本田淳 , 池上美穂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353791
特許番号：特許第4746731号
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1つの磁気メモリ・エレメントを製作する方法において、前記方法は、複数の磁気エレメント・ブランケット層を堆積する段階であって、第1磁気層(40)を堆積する段階と、前記第1磁気層上に非磁気層(41)を堆積する段階と、前記非磁気層上に第2磁気層(42)を堆積する段階とを含む段階と、前記複数の磁気エレメント・ブランケット層(40-42)を覆うマスク層を堆積する段階と、前記複数の磁気エレメント・ブランケット層を覆う前記マスク層(51)の一部を除去し、前記複数の磁気エレメント・ブランケット層の一部を露出させる段階と、前記複数の磁気エレメント・ブランケット層の前記露出部分を変換して、絶縁性不活性部(42b)および活性部を形成する段階とを備え、前記活性部は、前記少なくとも1つの磁気メモリ・エレメントを画定し、前記不活性部は、誘電絶縁物を画定することを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , G11B 5/39 ( 200 6.01) , G11C 11/14 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/10 447 , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248159 出願人：株式会社東芝
メモリセル装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-515275 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
特開平1-251656

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