特許
J-GLOBAL ID：201303061398167810
多層エレメントの製造方法及び多層エレメント
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西脇 民雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-519921
公開番号（公開出願番号）：特表2012-533760
出願日： 2010年07月13日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
本発明は、多層エレメント(100)の製造方法と、該方法を用いて形成される多層エレメント(100)とに関する。加飾層(3)が、キャリア層(1)の上または中に形成される。該加飾層(3)は、第一の領域(8)と第二の領域(9)とを有する。キャリア層(1)の平面に垂直に観察される場合、第一の領域(8)において第一の透過率を、第二の領域(9)において第一の透過率より大きい第二の透過率を有する。構造化される層(5)及び光活性化可能なレジスト層が、キャリア層(1)の第一の側(11)に配置される。加飾層(3)は、レジスト層が加飾層(3)を通じて露光される場合、露光マスクとして用いられる。少なくとも一つの構造化される層(5)及びレジスト層は、同期した構造化プロセスを用いて、一致した配置状態で構造化される。【選択図】図8a
請求項（抜粋）：
多層エレメント(100)の製造方法であって、
a)第一の側(11)及び第二の側(12)を有するキャリア積層(1)に接して及び/または中に、第一の領域(8)及び第二の領域(9)を有する単一のまたは多層の加飾積層(3)が形成され、前記加飾積層(3)が、前記キャリア積層(1)の面に垂直に観察される場合、前記第一の領域(8)において第一の透過率を、前記第二の領域(9)において前記第一の透過率に比べて大きい第二の透過率を有し、該透過率が、光活性化に適した波長を有する電磁放射線(7)に関連し、
b)少なくとも一つの構造化される層(5)が、前記キャリア積層(1)の前記第一の側(11)に配置され、
c)該電磁放射線(7)により光活性化可能なレジスト層(6)が、前記レジスト層(6)が前記少なくとも一つの構造化される層(5)の前記キャリア積層(1)から離れた側に配置され、前記加飾積層(3)が前記少なくとも一つの構造化される層(5)の他の側に配置されるように、前記キャリア積層(1)の前記第一の側(11)に配置され、
d)前記レジスト層(6)が、該電磁放射線(7)により、前記キャリア層(1)の前記第二の側(12)から露光され、前記加飾積層(3)が、前記第一の領域(8)及び前記第二の領域(9)のデザインにより、露光マスクとして機能し、
e)前記少なくとも一つの構造化される層(5)及び前記レジスト層(6)が、互いに同期した構造化工程により、互いに一致した配置状態で構造化される、
多層エレメント(100)の製造方法。
IPC (5件)：
G02B 5/18
, G03F 7/004
, B42D 15/10
, G02B 5/32
, B32B 7/02
G02B5/18
, G03F7/004 511
, B42D15/10 501P
, B42D15/10 531B
, B42D15/10 501Z
, G02B5/32
, B32B7/02 103
2C005HA04
, 2C005HB01
, 2C005HB09
, 2C005HB10
, 2C005HB20
, 2C005JB14
, 2C005KA02
, 2C005KA05
, 2C005KA48
, 2C005KA51
, 2C005KA59
, 2C005KA61
, 2H125CA30
, 2H125CD20P
, 2H125CD31
, 2H249AA13
, 2H249AA60
, 2H249AA64
, 2H249CA05
, 2H249CA22
, 2H249CA28
, 4F100AB01C
, 4F100AK01C
, 4F100AR00D
, 4F100AR00E
, 4F100AS00C
, 4F100AT00A
, 4F100AT00C
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100BA42B
, 4F100BA42C
, 4F100BA42D
, 4F100CA13B
, 4F100DD01A
, 4F100EH46B
, 4F100EH46E
, 4F100GB71
, 4F100GB90
, 4F100HB00B
, 4F100JD08A
, 4F100JD08B
, 4F100JD08E
, 4F100JK06E
, 4F100JL10B
, 4F100JL14E
, 4F100JM02C
, 4F100JN01B
, 4F100JN02D
, 4F100JN30D
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4F100YY00D
