ナノ精度の光/電気化学的平坦化及びポリシング加工方法、並びにその装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：特許業務法人津国 , 津国肇 , 柳橋泰雄 , 伊藤佐保子 , 小澤圭子 , 三宅俊男 , 小國泰弘 , 田中洋子 , 生川芳徳 , 柴田明夫 , 石岡隆
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-516985
公開番号（公開出願番号）：特表2013-538169
出願日： 2011年06月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

ナノ精度の光/電気化学的な平坦化及びポリシング加工方法及びその装置を提供する。前記方法は、ナノ平坦精度を有するバイト表面上に、電気化学、光化学または光電気化学的な方法によってエッチング剤を生成することを含む。エッチング剤と作動溶液中の除去剤との化学反応、又はエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を生成する。エッチング剤とワークとの化学反応によって、ワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さを達成させることにより、ワークに対するナノ精度の平坦化及びポリシングを実現する。

請求項（抜粋）：

ナノ平坦精度を有するバイト表面上に、電気化学、光化学または光電気化学的な方法によってエッチング剤を生成すること; エッチング剤と作動溶液中の除去剤との化学反応、又はエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を生成すること;及びエッチング剤液層中のエッチング剤とワークとの化学反応によって、ワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さを達成させることにより、ワークに対するナノ精度の平坦化及びポリシングを実現することを含む、光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。

IPC (3件)：

C04B 41/91 , H01L 21/306 , C23F 1/08

FI (3件)：

C04B41/91 A , H01L21/306 L , C23F1/08

Fターム (25件)：

4K057WA04 , 4K057WB04 , 4K057WB06 , 4K057WD01 , 4K057WD10 , 4K057WE01 , 4K057WE03 , 4K057WE12 , 4K057WF06 , 4K057WG10 , 4K057WM20 , 4K057WN01 , 5F043AA02 , 5F043AA13 , 5F043AA16 , 5F043AA26 , 5F043AA31 , 5F043BB01 , 5F043BB06 , 5F043BB10 , 5F043BB22 , 5F043DD08 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-339155 出願人：岸本産業株式会社, フアインポリマーズ株式会社
シリコンウエハーエッチング用苛性ソーダ水溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-193735 出願人：旭化成ケミカルズ株式会社
ウエハ洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-028065 出願人：ソニー株式会社

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