特許

J-GLOBAL ID：201303063012016379

半導体装置の製造方法

発明者： 冬木 隆 ,  浦岡 行治 ,  彦野 太樹夫 ,  三浦 篤志
出願人/特許権者： 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
代理人 (1件)： 小倉 啓七
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-510529
特許番号：特許第5110428号
出願日： 2006年03月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁体である金属酸化物からなるコアを2次元マトリクス状の量子ドットとして絶縁膜が形成された基板上に形成するドット形成工程と、 前記コアが配列されている基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、 上記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記コアを包含した前記ゲート絶縁膜に対して、還元力を有するガス中で、100〜800°Cの処理温度でアニール処理を施すことにより、前記ゲート絶縁膜に埋め込まれた前記コアを還元して電気的特性を絶縁体から導電体に改質するアニール処理工程とを備え、 前記アニール処理が、前記ゲート絶縁膜の酸素結合力によって金属酸化物たる前記コアを還元することにより前記コアに導電性を与える処理である、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/06 601 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-273911   出願人：松下電器産業株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-242708   出願人：沖電気工業株式会社