特許
J-GLOBAL ID：201303063719319360

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者：
竹島 雄一郎

竹島 雄一郎 について

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笠原 修

笠原 修 について

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豊田 一行

豊田 一行 について

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田邊 潤一

田邊 潤一 について

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山本 克彦

山本 克彦 について

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野村 久志

野村 久志 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-128763
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084898
出願日： 2012年06月06日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第1のガスを第1の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第2のガスを第2の処理領域内に供給し、第1の処理領域及び第2の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第1のガス及び第2のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、 前記基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第1のガスを第1の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第2のガスを第2の処理領域内に供給し、前記第1の処理領域及び前記第2の処理領域を前記基板が通過するようにさせて、前記基板上に薄膜を形成する工程と、 前記反応容器内への第1のガス及び第2のガスの供給を停止し、前記反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの前記基板を冷却する工程と、 前記反応容器外に処理後の前記基板を搬出する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/46
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/46
Fターム (56件)：
4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ12 ,  5F045DQ17 ,  5F045EE05 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF14 ,  5F045EF20 ,  5F045EH12 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK07 ,  5F045GB15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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