薄膜の広範囲多層原子層の化学蒸着処理のための装置および方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：柏原三枝子 , 高橋剛一 , 柴田雅仁 , 米村道子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-557248
公開番号（公開出願番号）：特表2009-531535
出願日： 2006年03月03日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

反応性および不活性ガスの連続および交互の流れが、処理槽の周囲に位置する複数の複合ノズルから同軸状に取り付けられた回転する円筒形のサセプターへ向く、広範囲で高速の原子層化学蒸着処理のための装置および方法に関する。フレキシブル基板が同軸状のサセプター上に取り付けられる。一実施例において、処理反応装置は、円筒形のサセプターの回転軸に対し実質的に垂直に設けられた4つの複合インジェクターを有する。他の実施例において、サセプターの断面は、小表面上に取り付けられた複数の基板を有する多角形である。処理反応装置は、高速化学蒸着処理モードと同様の単一の原子層の精度で、多層のフレキシブルなまたは平面の基板を処理する働きをすることができる。本発明の原子層化学気相処理は、また、注入された反応性の化学的前駆体の未使用部分を下流で捕捉することを規定する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

薄膜処理装置であって: 外囲いおよび接続された排気サブシステムを有する外壁を備える処理槽と; 外壁の外囲いの周囲に間隔をあけて設けられた複数のインジェクションノズルであって、インジェクションノズルの各々が、槽の壁を貫通して槽の外部から槽の内部へ処理ガスを導入するとともに、注入されたガスを実質的に線形パターンに分布させる、複数のインジェクションノズルと;および処理槽内の移送サブシステムであって、1つあるいはそれ以上の基板が、複数のインジェクションノズルに順番に近接して通過するとともに、移送サブシステムが動作している間順番の通過を繰り返すように、1つあるいはそれ以上の被覆すべき基板を搬送する、移送サブシステムと; を備える薄膜処理装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (2件)：

C23C16/455 , H01L21/31 B

Fターム (24件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA01 , 4K030BA11 , 4K030BA21 , 4K030BA35 , 4K030BA50 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030LA16 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045BB08 , 5F045DP16 , 5F045DP27 , 5F045EF01 , 5F045EG01 , 5F045HA21

引用特許：

審査官引用 (6件)

高スループットのオルガノメタリック気相成長装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560296 出願人：コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド
特許第3144664号
連続プラズマCVD法及びCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-048780 出願人：日立マクセル株式会社

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