特許
J-GLOBAL ID：201303064371165777

プラズマ処理装置

発明者：
岩▲崎▼ 征英

岩▲崎▼ 征英 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-028902
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118398
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：
【課題】マイクロ波プラズマの生成と同時にプラズマプロセスのモニタリングを簡易な構成で効率的に行うこと。【解決手段】このプラズマ処理装置は、真空排気可能なチャンバ10内に被処理基板Wを収容し、チャンバ10内に処理ガスとマイクロ波のパワーを供給して処理ガスのプラズマを生成し、基板Wに所望のプラズマ処理を施す。このプラズマ処理装置は、マイクロ波発生器60からのマイクロ波をチャンバ10まで伝送するためのマイクロ波伝送線路58においてその終端部を含む所定の区間を同軸管66で構成するとともに、この同軸管66の内部導体68を中空管に構成し、この中空管を介してチャンバ10内のプロセスまたはプロセス条件の状態をモニタリングするモニタ部を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空排気可能な処理容器内に被処理基板を収容し、前記処理容器内に処理ガスとマイクロ波のパワーを供給して前記処理ガスのプラズマを生成し、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記処理容器まで伝送するためのマイクロ波伝送線路においてその終端部を含む所定の区間を同軸線路で構成するとともに、前記同軸線路の内部導体を中空管に構成し、前記中空管を介して前記処理容器内のプロセスまたはプロセス条件の状態をモニタリングするモニタ部を有するプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (7件)：
H01L21/302 101D ,  H01L21/302 103 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  C23C16/511 ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 B
Fターム (35件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030LA15 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB02 ,  5F004BB07 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004CB16 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045DP03 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB08 ,  5F045GB09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM