半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤香
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173449
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368110
特許番号：特許第4836355号
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】過熱検出回路が過熱保護対象の素子または回路と同一基板に形成されている半導体集積回路装置において、前記過熱検出回路が、バイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗と、前記抵抗の形成されたウェル領域に所定電圧を印加する定電圧発生回路とを備えたものであり、前記の過熱保護対象の素子または回路の温度の昇降に伴って前記抵抗の温度が昇降するようになっており、前記定電圧発生回路から前記ウェル領域および前記抵抗を介して前記バイポーラトランジスタのベースに流れる漏れ電流が前記抵抗の温度の昇降に応じて増減するようになっており、前記バイポーラトランジスタが前記漏れ電流を増幅して前記漏れ電流の増減に応じてオンオフすることにより前記の過熱保護対象の素子または回路に係る過熱の有無を示すようになっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H02M 1/00 ( 200 7.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/04 B , H01L 27/06 311 C , H02M 1/00 R

引用特許：

出願人引用 (7件)

温度ヒステリシスを有する温度指示計回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-104469 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
特開昭51-093170
特開昭53-042580

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審査官引用 (4件)

温度ヒステリシスを有する温度指示計回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-104469 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
特開昭51-093170
特開昭53-042580

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