メムキャパシタ・デバイス、電解効果トランジスタ・デバイス、不揮発性メモリ・アレイ、および、プログラミング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野村泰久 , 大菅義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-552889
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520012
出願日： 2011年01月25日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

メムキャパシタ・デバイスが、相対する導電性電極の対を有する。これら相対する導電性電極の対の間に、誘電体内に移動性ドーパントを含む半導体材料と、移動性ドーパント・バリア誘電材料とが受け入れられる。これら半導体材料とバリア誘電材料とは、少なくとも1つの異なる原子元により少なくとも特徴付けられる互いに異なる組成である。半導体材料およびバリア誘電材料のうちの一方は、これらのうちの他方よりも、電極の対のうちの一方のより近くに位置する。半導体材料およびバリア誘電材料のうちの他方は、これらのうちの一方よりも、電極の対のうちの他方のより近くに位置する。電解効果トランジスタ、メモリ・アレイ、方法を含めて、他の実現例も開示する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相対する導電性電極の対と、前記相対する導電性電極の対の間に受け入れられる、誘電体中に移動性ドーパントを含む半導体材料および移動性ドーパント・バリア誘電材料と、を備えるメムキャパシタ・デバイスであって、前記半導体材料と前記バリア誘電材料とが、少なくとも1つの異なる原子元により少なくとも特徴付けられる互いに異なる組成であり、前記半導体材料および前記バリア誘電材料のうちの一方が、前記半導体材料および前記バリア誘電材料のうちの他方よりも、前記電極の対の一方のより近くに位置し、前記半導体材料および前記バリア誘電材料のうちの前記他方が、前記半導体材料および前記バリア誘電材料のうちの前記一方よりも、前記電極の対の他方のより近くに位置する、メムキャパシタ・デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/10 448

Fターム (12件)：

5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083ZA21 , 5F101BA65 , 5F101BD02 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-104285
電界効果トランジスタ及びその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-058797 出願人：松下電器産業株式会社
複数の3端子メモリセルを含むメモリアレイに対する書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-240394 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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