電界効果トランジスタ及びその動作方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-058797
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245280
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】ゲート容量可変の電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの消費電力と読み出しエラーとを低減する。【解決手段】シリコン基板101上にソース領域104とドレイン領域105を形成すると共にソース領域104とドレイン領域105とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜102a、PCMO膜102b、ゲート電極103を積層して、電界効果トランジスタ1とする。PCMO膜102bに印加する書き込み電圧の電圧値を変えることによってデータを書き込み、PCMO膜102bに読み出し電圧を印加し、ドレイン電流を検出することによってデータを読み出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極がゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されてなる電界効果トランジスタであって、ゲート絶縁膜は、印加される電圧に応じて静電容量が変化することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/112

FI (4件)：

H01L27/10 451 , H01L43/08 M , H01L29/78 371 , H01L27/10 433

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA13 , 5F101BA26 , 5F101BA61 , 5F101BA68 , 5F101BB02 , 5F101BB17 , 5F101BE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開US 2004/0065912 A1号

審査官引用 (6件)

強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-013047 出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社豊島製作所
特開昭49-131646
混合原子価導電性酸化物を用いたメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-530487 出願人：ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション

全件表示

前のページに戻る