原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152339
特許番号：特許第4700181号
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板を含む反応チャンバに薄膜をなす元素及びリガンドを含む第1反応物を注入して前記基板上に第1反応物を化学吸着させる段階と、前記反応チャンバを不活性ガスでパージし、物理吸着された第1反応物を除去する段階と、前記反応チャンバに前記薄膜をなす元素との結合エネルギーが前記リガンドよりも大きい活性化された酸化剤である第2反応物を注入して前記薄膜をなす元素と第2反応物との化学反応によって原子層単位の薄膜を形成すると共に、前記リガンドを除去する段階とを含み、前記第1反応物はAl(CH3)3であり、前記第2反応物は活性化されたオゾン(O3)であることを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/40 ( 200 6.01) , C23C 16/34 ( 200 6.01) , C23C 16/44 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C23C 16/40 , C23C 16/34 , C23C 16/44 A , H01L 21/316 C , H01L 21/318 B

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-176197 出願人：三星電子株式会社
特開平3-271372
金属膜の選択的形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-172480 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る