特許

J-GLOBAL ID：201303070324239509

SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

発明者： 柴田 顕次 ,  宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  関 和明
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275589
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124215
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】種結晶よりも欠陥が少ないSiC結晶を種結晶上に成長させること。【解決手段】SiC結晶を種結晶にしてSiC結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長方法を提供する。この方法では、種結晶に用いるSiC結晶を真空中で加熱して表面を構成しているSiを昇華させてCを主体とする膜を形成する工程が付加されている。その工程を経たSiC結晶を種結晶にしてSiC結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiC結晶を種結晶にしてSiC結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長方法であり、 種結晶に用いるSiC結晶を真空中で加熱して表面を構成しているSiを昇華させてCを主体とする膜を形成する工程が付加されており、 その工程を経たSiC結晶を種結晶にしてSiC結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 D

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077QA74 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AF02 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F053AA12 ,  5F053AA47 ,  5F053DD02 ,  5F053PP03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-280772   出願人：住友電気工業株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-307154   出願人：三菱電機株式会社
• SiC単結晶の接着方法及びSiC単結晶の溶液成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-038304   出願人：トヨタ自動車株式会社