特許
J-GLOBAL ID：201303070780753486

半導体レーザ素子

発明者：
麦野 遥一

麦野 遥一 について

, 
野間 亜樹

野間 亜樹 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026903
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165142
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
【課題】TMモード発振が得られかつ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザダイオード70は、基板1と、基板1上に形成され、活性層10を含む半導体積層構造2とを含む。活性層10は、アンドープのGaAs(1-x3)Px3層(0<x3≦1)からなる量子井戸(well)層221とアンドープの(Alx4Ga(1-x4))(1-y)InyAs層(0<x4≦1,0<y<1)からなる障壁(barrier)層222とを交互に複数周期繰り返し積層して構成された多重量子井戸構造を有している。量子井戸層221には引っ張り歪が生じている。障壁層222には圧縮歪が生じている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
TMモードで発振する半導体レーザ素子であって、 基板と、 基板上に形成され、活性層を含む半導体積層構造とを含み、 前記活性層は、 TMモード発振を生じさせるための引っ張り歪みを有する少なくとも2つの量子井戸層と、 隣接する前記量子井戸層に挟まれ、圧縮歪みを有する障壁層とを含む、半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/16
FI (2件)：
H01S5/343 ,  H01S5/16
Fターム (11件)：
5F173AA03 ,  5F173AA48 ,  5F173AB76 ,  5F173AF04 ,  5F173AF15 ,  5F173AG05 ,  5F173AH13 ,  5F173AP05 ,  5F173AR23 ,  5F173AR25 ,  5F173AR44
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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