特許
J-GLOBAL ID：201303072131617606

不揮発性半導体記憶装置デバイス及び不揮発性記憶装置セルの製造方法

発明者：
ラン,シャン・ラン

ラン,シャン・ラン について

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ル,タオ・チェン

ル,タオ・チェン について

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ワン,マム・ツン

ワン,マム・ツン について


出願人/特許権者：
マクロニックス・アメリカ・インコーポレーテッド

マクロニックス・アメリカ・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  伊藤 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-520477
特許番号：特許第4969748号
出願日： 2000年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 不揮発性半導体記憶装置デバイスにおいて、 1つの導電型の半導体基板と、 前記半導体基板に形成された右側拡散領域であって、前記半導体基板の導電型と反対の導電型を有する前記右側拡散領域と、 前記右側拡散領域と別個に前記半導体基板に形成され、これにより前記右側及び左側拡散領域の間にチャネル領域を形成する左側拡散領域であって、前記右側拡散領域と同一の導電型である前記左側拡散領域と、 前記チャネル領域の中央チャネル部分上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、 前記半導体基板及び前記制御ゲート電極を覆う誘電複合体と、 前記制御ゲート電極と前記右側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の右側電荷保存領域と、 前記制御ゲート電極と前記左側拡散領域との間で前記誘電複合体の一部分内の左側電荷保存領域と、 前記誘電複合体を覆うワードラインとを備える、不揮発性半導体記憶装置デバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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