特許
J-GLOBAL ID：201303072635318154

パワー半導体モジュール

発明者：
サムエル・ハルトマン

サムエル・ハルトマン について

, 
ドミニク・トリューゼル

ドミニク・トリューゼル について


出願人/特許権者：
アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー

アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー について


代理人 (7件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-096331
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243356
出願日： 2013年05月01日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】大電流を伴う大電力用途で使用可能にし、改善された温度特性を示し、容易にかつ経済的に搭載可能な、パワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】ベースプレート2、およびベースプレートに搭載された少なくとも1対の基板3を備える電力半導体モジュール1であって、複数のパワー半導体4、5が各基板に搭載され、パワー半導体は、各基板の対向するエッジ6に沿って異なる数のパワー半導体を有して各基板上に配置され、少なくとも1対の基板は、基板のエッジが互いに向かい合うより少ない数のパワー半導体を具備してベースプレート上に配置された電力半導体モジュールを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベースプレート(2)、および前記ベースプレート(2)に搭載された少なくとも1対の基板(3)を備えるパワー半導体モジュール(1)であって、 各基板(3)は長方形の形状を有し、 複数のパワー半導体(4、5、25)が各基板(3)に搭載され、 前記パワー半導体(4、5、25)は、各基板(3)の対向するエッジ(6)に沿って異なる数のパワー半導体(4、5、25)を有して各基板(3)上に配置され、 前記少なくとも1対の基板(3)は、前記基板(3)の前記エッジ(6)が互いに向かい合うより少ない数のパワー半導体(4、5、25)を具備して前記ベースプレート(2)上に配置されたパワー半導体モジュール(1)。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (2件)：
H01L25/04 C ,  H01L27/04 A
Fターム (5件)：
5F038BE07 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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