特許
J-GLOBAL ID：201303073049441580

電力用半導体装置

発明者：
田中 智典

田中 智典 について

, 
岩上 徹

岩上 徹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-272961
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125806
出願日： 2011年12月14日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：
【課題】スイッチングデバイスとしてIGBTとMOSFETとを並列動作させて用いる電力用半導体装置において、装置全体を小型化する。【解決手段】IGBT1〜3およびMOSFET7〜9のうち、ゲート制御回路18の近傍に配置されたトランジスタは、ゲート制御回路18から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介してゲート制御回路18から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与え、IGBT4〜6およびMOSFET10〜12のうち、ゲート制御回路19の近傍に配置されたトランジスタは、ゲート制御回路19から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介してゲート制御回路19から遠い位置に配置されたトランジスタに与える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、 前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、 前記第1のスイッチング部は、 前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、 前記第2のスイッチング部は、 前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、 前記電力用半導体装置の平面レイアウトにおいて、 前記第1の制御回路は、前記第1のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETの一方は、前記第1の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第1の制御回路から遠い位置に配置され、 前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETの一方は、前記第2の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第2の制御回路から遠い位置に配置され、 前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETのうち、前記第1の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第1の制御回路から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介して前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与え、 前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETのうち、前記第2の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第2の制御回路から与えられたゲート制御信号を、そのゲートを介して前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタに与える、電力用半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H02M 1/08 ,  H03K 17/687
FI (5件)：
H01L25/04 C ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652Q ,  H02M1/08 Z ,  H03K17/687 Z
Fターム (18件)：
5H740BA15 ,  5H740BB02 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740PP02 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055DX22 ,  5J055DX48 ,  5J055EX07 ,  5J055EY21 ,  5J055FX05 ,  5J055FX12 ,  5J055GX01
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM