コンタクトホールパターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026000
公開番号（公開出願番号）：特開2013-164436
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】コンタクトパターンのホール直径の均一性及び真円性を改善する方法を提供する。【解決手段】ホールパターンが形成された薄膜4を表面に有する基板1に対して、前記薄膜を被覆するように、複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層5を形成するブロックコポリマー層形成工程と、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる相分離工程と、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する選択的除去工程とを有し、前記薄膜に形成されているホールパターンのホール径が、前記ブロックコポリマーの周期の0.8〜3.1倍であり、前記層形成工程において、前記薄膜の上面から前記ブロックコポリマーを含む層の表面までの厚みを、前記薄膜の膜厚の70%以下にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ホールパターンが形成された薄膜を表面に有する基板に対して、前記薄膜を被覆するように、複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を形成するブロックコポリマー層形成工程と、前記ブロックコポリマー層形成工程後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる相分離工程と、前記相分離工程後、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する選択的除去工程と、を有し、前記薄膜が、感光性又は非感光性の有機膜又は無機膜であり、前記薄膜に形成されているホールパターンのホール径が、前記ブロックコポリマーの周期の0.8〜3.1倍であり、前記ブロックコポリマー層形成工程において、前記薄膜の上面から前記ブロックコポリマーを含む層の表面までの厚みを、前記薄膜の膜厚の70%以下にすることを特徴とする、コンタクトホールパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , C08J 7/00 , B82Y 40/00 , H01L 21/306

FI (6件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 570 , C08J7/00 306 , C08J7/00 , B82Y40/00 , H01L21/302 105A

Fターム (25件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA03 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 4F073AA06 , 4F073AA22 , 4F073BA18 , 4F073BA19 , 4F073CA01 , 4F073CA62 , 5F004AA01 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB23 , 5F004EA03 , 5F004EA22 , 5F004EB01 , 5F146JA22 , 5F146LA18

引用特許：

出願人引用 (6件)

ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-102303 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
等しい優先性で両ブロックを湿潤にするために、制約を受ける上部界面を有するブロック共重合体膜の熱アニーリング
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-500852 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-085982 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (6件)

ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-102303 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
等しい優先性で両ブロックを湿潤にするために、制約を受ける上部界面を有するブロック共重合体膜の熱アニーリング
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-500852 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-085982 出願人：株式会社東芝

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