TFTマトリックスを製造するためのエッチングプロセス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-535779
公開番号（公開出願番号）：特表2013-508990
出願日： 2010年10月26日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

液晶ディスプレー(LCD)用の薄膜トランジスタ(TFT)マトリックスは、数回の層を形成するステップおよび数回の層を部分的にエッチングするステップの実行によって、用意することができる。フッ素および好ましくはフッ化カルボニルが、好ましくは酸素、N2O、および/またはアルゴンと共に、エッチングガスとして使用される。本発明はさらにF2もしくはフッ化カルボニル、N2Oおよび任意選択によりアルゴンからなるガス混合物に関する。

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素またはa-Siを含む層がガス体のエッチング剤によりエッチングされ、また前記エッチング剤がフッ化カルボニル(COF2)、F2またはそれらの混合物を含んでいる、少なくとも1ステップを含む、TFTマトリックスの製造のための方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H01L29/78 627C

Fターム (34件)：

5F004AA02 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK25 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

エッチングガスおよびクリーニングガス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-027382 出願人：ダイキン工業株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-186604 出願人：シャープ株式会社
シリコン化合物膜のドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-240537 出願人：カシオ計算機株式会社

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