シリコン化合物膜のドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鹿嶋英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-240537
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073935
出願日： 2008年09月19日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】 SF6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。【解決手段】例えば、ゲート絶縁膜3の上面には真性アモルファスシリコン膜21および窒化シリコン膜(チャネル保護膜形成用膜)22が成膜され、その上にはレジスト膜23が形成されている。そして、少なくともCOF2ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜22を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜23下にチャネル保護膜が形成される。この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約7である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくともCOF2を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングによりシリコン化合物膜をドライエッチングすることを特徴とするシリコン化合物膜のドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/302 105A , H01L21/302 301Z , H01L29/78 627C , H01L29/78 627B

Fターム (33件)：

5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

TFT駆動素子を有する液晶セル用基板の製造方法および液晶セル用基板、ならびに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-269548 出願人：富士フイルム株式会社

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-376242 出願人：カシオ計算機株式会社
エッチングガスおよびクリーニングガス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-027382 出願人：ダイキン工業株式会社
ドライエッチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072917 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

全件表示

前のページに戻る