特許

J-GLOBAL ID：201303075044044801

結晶製造方法

発明者： 皿山 正二 ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062474
公開番号（公開出願番号）：特開2013-147422
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】工程を複雑化させることなく、安価に実用的な大きさのIII族窒化物結晶及び高性能なIII族窒化物半導体デバイスを提供し、反応容器の外部におけるアルカリ金属の凝縮を防止できるようにする。【解決手段】第1の反応容器101内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液102と第1の反応容器101の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、第1の反応容器101の外部に凝縮するアルカリ金属を再蒸発させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液と第1の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、前記第1の反応容器の外部に凝縮するアルカリ金属を再蒸発させることを特徴とする結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/06

FI (2件)：

C30B29/38 ,  C30B9/06

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077LA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-163192
  
• セルシャッターおよびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176859   出願人：関西日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N2