特許
J-GLOBAL ID：201303075734238412
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194014
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016257
特許番号：特許第4993802号
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に設けられたTFTと、
前記TFTを覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられたゲート配線と、
前記層間絶縁膜上に設けられた画素電極と、
前記TFTと電気的に接続し、かつ前記画素電極と重なるように設けられたドレイン電極と、
前記ゲート配線及び前記ドレイン電極上に選択的に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜及び前記画素電極上に設けられた液晶材料と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 612 C
, G02F 1/136
, H01L 29/78 619 A
